品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@25V
导通电阻:15mΩ@10V,27.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@25V
导通电阻:15mΩ@10V,27.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@25V
导通电阻:15mΩ@10V,27.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:17A€94A
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:2.525nF@15V
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:17A€94A
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:2.525nF@15V
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:17A€94A
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
输入电容:2.525nF@15V
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8896
工作温度:-55℃~+175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.525nF@15V
连续漏极电流:17A€94A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.7mΩ@10V,35A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.72nF@25V
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:11mΩ@37A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: