采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C466NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@30μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：2个N沟道
反向传输电容：13pF@25V
导通电阻：6.2mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：2.2V@30μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：6.1mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：610mW€10W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：7nC@4.5V
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
功率：610mW€10W
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：7nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSH205G2AR
阈值电压：900mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：421pF@10V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：118mΩ@2.6A，4.5V
功率：610mW€10W
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：7nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
