包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB011N04N G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V

栅极电荷：250nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：180A

类型：MOSFET

导通电阻：1.1mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB011N04N G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V

栅极电荷：250nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：180A

类型：MOSFET

导通电阻：1.1mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH140N65B4

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，120A

关断延迟时间：270ns

反向恢复时间：105ns

关断损耗：2.67mJ

开启延迟时间：54ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：250nC

类型：PT(穿通型)

导通损耗：5.75mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH140N65B4

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，120A

关断延迟时间：270ns

反向恢复时间：105ns

关断损耗：2.67mJ

开启延迟时间：54ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：250nC

类型：PT(穿通型)

导通损耗：5.75mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH140N65B4

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，120A

关断延迟时间：270ns

反向恢复时间：105ns

关断损耗：2.67mJ

开启延迟时间：54ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：250nC

类型：PT(穿通型)

导通损耗：5.75mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH140N65B4

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，120A

关断延迟时间：270ns

反向恢复时间：105ns

关断损耗：2.67mJ

开启延迟时间：54ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：250nC

类型：PT(穿通型)

导通损耗：5.75mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH140N65B4

栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@15V，120A

关断延迟时间：270ns

反向恢复时间：105ns

关断损耗：2.67mJ

开启延迟时间：54ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：250nC

类型：PT(穿通型)

导通损耗：5.75mJ

工作温度：-55℃~+175℃

包装清单：商品主体 * 1