采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP036N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.295nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP020N06B-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：268nC@10V
包装方式：管件
输入电容：20.93nF@30V
连续漏极电流：313A
类型：1个N沟道
反向传输电容：127pF@30V
导通电阻：1.65mΩ@10V，100A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXYN110N120A4
ECCN：EAR99
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：1.8V@15V，110A
关断延迟时间：550ns
关断损耗：8.4mJ
开启延迟时间：42ns
集电极截止电流(Ices)：1.2kV
栅极电荷：305nC
类型：PT(穿通型)
导通损耗：2.5mJ
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGWA50HP65FB2
包装方式：管件
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，50A
关断延迟时间：115ns
反向恢复时间：140ns
关断损耗：0.58mJ
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：151nC
类型：FS(场截止)
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2800，"22+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP040N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.8W
阈值电压：3.8V@85μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.8nF@40V
连续漏极电流：22A€115A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP040N08NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：150W€3.8W
阈值电压：3.8V@85μA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.8nF@40V
连续漏极电流：22A€115A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP7D3N15MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：4.5V@342μA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4.25nF@75V
连续漏极电流：12.1A€101A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@75V
导通电阻：6.2mΩ@10V，62A
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
