采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L-08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：30nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：50A
类型：MOSFET
导通电阻：6.2mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.82W€36.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12.1nC@10V
输入电容：897pF@20V
连续漏极电流：14.6A€52.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD75N04S4-06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：58W
阈值电压：3V
栅极电荷：32nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：75A
类型：MOSFET
导通电阻：5.9mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CTXG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：244W
阈值电压：4V
栅极电荷：251nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：558A
类型：MOSFET
导通电阻：450μΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP039N04L G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：94W
阈值电压：3V
栅极电荷：78nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：3.9mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107.1W€3.8W
阈值电压：3V@210μA
栅极电荷：71nC@10V
输入电容：4.301nF@25V
连续漏极电流：185A€35A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M6R7-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.161nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF@25V
导通电阻：5.7mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：113W
阈值电压：3.3V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：110A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04C
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：86nC@10V
输入电容：6.1nF@25V
连续漏极电流：48.9A€313A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.87mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4-08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
栅极电荷：22.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：50A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04C
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：86nC@10V
输入电容：6.1nF@25V
连续漏极电流：48.9A€313A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.87mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM40014M-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：275nC@10V
输入电容：15.78nF@20V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04C
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：86nC@10V
输入电容：6.1nF@25V
连续漏极电流：48.9A€313A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.87mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：981，"9999"：637}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IST007N04NM6AUMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W€3.8W
阈值电压：3.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.9nF@20V
连续漏极电流：54A€440A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S4L-04
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：60nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：90A
类型：MOSFET
导通电阻：3.2mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04C
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4.1W€166W
阈值电压：3.5V@250μA
栅极电荷：86nC@10V
输入电容：6.1nF@25V
连续漏极电流：48.9A€313A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.87mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：132W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：120A
类型：MOSFET
导通电阻：1.14mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4-08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
栅极电荷：22.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：50A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4-08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
栅极电荷：22.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：50A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K13-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
输入电容：1.16nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：99W
阈值电压：3.9V@100μA
栅极电荷：93nC@10V
输入电容：3.183nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.3mΩ@10V，70A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：238W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.752nF@20V
连续漏极电流：240A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：2.59nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：2个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
