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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR2405TRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.43nF@25V
连续漏极电流：56A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，34A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1010ZTRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100μA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.84nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@42A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2213
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR2905ZTRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10V，36A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2213
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR2905ZTRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10V，36A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR48ZTRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.72nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@37A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB140NF55T4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：142nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.3nF@25V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y12-55B，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：105W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.067nF@25V
连续漏极电流：61.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，20A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2213
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR2905ZTRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10V，36A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2213
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR2905ZTRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.57nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10V，36A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2213
规格型号(MPN)：IRLR2905ZTRPBF
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
阈值电压：3V@250μA
漏源电压：55V
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：1.57nF@25V
栅极电荷：35nC@5V
ECCN：EAR99
导通电阻：13.5mΩ@10V，36A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75345S3ST
包装方式：卷带（TR）
功率：325W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：75A
栅极电荷：275nC@20V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：4nF@25V
漏源电压：55V
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：7mΩ@75A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y12-55B，115
导通电阻：12mΩ@10V，20A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：105W
连续漏极电流：61.8A
输入电容：2.067nF@25V
漏源电压：55V
栅极电荷：35.2nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
