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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L-12
工作温度：-55℃~+175℃
功率：94W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：9.8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S10N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：180W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.11mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L-12
工作温度：-55℃~+175℃
功率：94W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：9.8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L-12
工作温度：-55℃~+175℃
功率：94W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：9.8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S10N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：180W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.11mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
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规格型号(MPN)：IPD60N10S4L-12
工作温度：-55℃~+175℃
功率：94W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：9.8mΩ
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD60N10S4L-12
工作温度：-55℃~+175℃
功率：94W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：9.8mΩ
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
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规格型号(MPN)：TK60S10N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：180W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.11mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S10N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：180W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.11mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L-12
工作温度：-55℃~+175℃
功率：94W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：9.8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L-12
工作温度：-55℃~+175℃
功率：94W
阈值电压：1.1V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：9.8mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60N10S4L-12
功率：94W
包装方式：Reel
阈值电压：1.1V
导通电阻：9.8mΩ
连续漏极电流：60A
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：49nC
漏源电压：100V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK60S10N1L，LXHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：180W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：60A
类型：MOSFET
导通电阻：6.11mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG60N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.72nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：183pF@25V
导通电阻：14.5mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG60N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.72nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：183pF@25V
导通电阻：14.5mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：85nC@10V
输入电容：5.8nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG60N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
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连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：183pF@25V
导通电阻：14.5mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG60N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：3.72nF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：183pF@25V
导通电阻：14.5mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：5.8nF@25V
阈值电压：4V@250μA
功率：125W
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：100V
栅极电荷：85nC@10V
导通电阻：19.5mΩ@30A，10V
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