采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：60W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@5V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：79W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：34nC@5V
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：79W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：34nC@5V
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：79W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：34nC@5V
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：79W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：34nC@5V
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：185mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：79W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：34nC@5V
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6495NLT4G-VF01
功率：83W
导通电阻：50mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：25A
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：1.024nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：20nC@5V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
反向传输电容：50pF@25V
导通电阻：180mΩ@10V，6A
阈值电压：2V@250μA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：17A
输入电容：800pF@25V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：34nC@5V
阈值电压：2V@250μA
导通电阻：105mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
功率：79W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：20nC@5V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：2V@250μA
导通电阻：185mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
