品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H015SK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:30.1nC@10V
输入电容:2.343nF@50V
连续漏极电流:59A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:3.4nC@10V
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: