采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R163M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：85W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：17A
类型：MOSFET
导通电阻：217mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：148W
阈值电压：4.3V
栅极电荷：61nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：38A
类型：MOSFET
导通电阻：85mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：148W
阈值电压：4.3V
栅极电荷：61nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：38A
类型：MOSFET
导通电阻：85mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：148W
阈值电压：4.3V
栅极电荷：61nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：38A
类型：MOSFET
导通电阻：85mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：148W
阈值电压：4.3V
栅极电荷：61nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：38A
类型：MOSFET
导通电阻：85mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：115W
阈值电压：4V
栅极电荷：51nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：100mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065080B3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：115W
阈值电压：4V
栅极电荷：51nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：100mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG060N065SC1
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：4.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：46A
类型：MOSFET
导通电阻：70mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R072M1HXTMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：5.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：33A
类型：MOSFET
导通电阻：94mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：148W
阈值电压：4.3V
栅极电荷：61nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：38A
类型：MOSFET
导通电阻：85mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：148W
阈值电压：4.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：38A
类型：MOSFET
导通电阻：85mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：143W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1nF@400V
连续漏极电流：34.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@400V
导通电阻：50mΩ@10V，25A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R057M1HXKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：133W
阈值电压：5.7V@5mA
栅极电荷：28nC@18V
包装方式：管件
输入电容：930pF@400V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@16.7A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ3C065080K3S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：190W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1.5nF@100V
连续漏极电流：31A
类型：1个N沟道
导通电阻：111mΩ@20A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L075N065SC1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：148W
阈值电压：4.3V
栅极电荷：61nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：38A
类型：MOSFET
导通电阻：85mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCTL35N65G2V
工作温度：-55℃~+175℃
功率：417W
阈值电压：5V
栅极电荷：73nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：67mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
