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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5462A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.142nF@25V
连续漏极电流：42A€8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJQ5462A-AU_R2_000A1
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功率：71.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.142nF@25V
连续漏极电流：42A€8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：2.142nF@25V
连续漏极电流：42A€8.5A
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导通电阻：12mΩ@20A，10V
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导通电阻：12mΩ@20A，10V
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输入电容：2.234nF@30V
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导通电阻：13mΩ@10A，10V
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输入电容：2.142nF@25V
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栅极电荷：40nC@10V
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导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
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栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
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