采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP034N03L G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：94W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：5.3nF@15V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：81pF@15V
导通电阻：2.8mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8870
工作温度：-55℃~+175℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.16nF@15V
连续漏极电流：21A€160A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV15ENER
工作温度：-55℃~+175℃
功率：700mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA26EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：195nC@10V
输入电容：9.778nF@25V
连续漏极电流：410A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.77mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：150，"11+"：4670，"14+"：20000}
包装规格(MPQ)：683psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK624R5-30C，118
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.707nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.2V@2mA
栅极电荷：121.35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8598pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.02mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV15ENER
工作温度：-55℃~+175℃
功率：700mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：2.35V@100μA
栅极电荷：54nC@4.5V
输入电容：5.11nF@15V
连续漏极电流：78A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：41nC@4.5V
输入电容：3.95nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：21mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~+175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.26nF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8896
工作温度：-55℃~+175℃
功率：80W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.525nF@15V
连续漏极电流：17A€94A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.7mΩ@10V，35A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
