包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：150nC@10V

输入电容：9.13nF@40V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：6.5mΩ@10V，55A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK9Y8R8-60ELX

工作温度：-55℃~+175℃

功率：194W

阈值电压：2.1V@1mA

栅极电荷：123nC@10V

输入电容：6.695nF@25V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK9Y8R8-60ELX

工作温度：-55℃~+175℃

功率：194W

阈值电压：2.1V@1mA

栅极电荷：123nC@10V

输入电容：6.695nF@25V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK9Y8R8-60ELX

工作温度：-55℃~+175℃

功率：194W

阈值电压：2.1V@1mA

栅极电荷：123nC@10V

输入电容：6.695nF@25V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP80N6F6

工作温度：-55℃~175℃

功率：120W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：122nC@10V

包装方式：管件

输入电容：7480pF@25V

连续漏极电流：110A

类型：N沟道

导通电阻：5.8mΩ@50A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP110N8F6

工作温度：-55℃~175℃

功率：200W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：150nC@10V

包装方式：管件

输入电容：9130pF@40V

连续漏极电流：110A

类型：N沟道

导通电阻：6.5mΩ@55A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFB4310

工作温度：-55℃~+175℃

功率：230W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：160nC@10V

输入电容：8.05nF@25V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

反向传输电容：420pF@25V

导通电阻：8mΩ@10V，55A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK9Y8R8-60ELX

工作温度：-55℃~+175℃

功率：194W

阈值电压：2.1V@1mA

栅极电荷：123nC@10V

输入电容：6.695nF@25V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK9Y8R8-60ELX

工作温度：-55℃~+175℃

功率：194W

阈值电压：2.1V@1mA

栅极电荷：123nC@10V

输入电容：6.695nF@25V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFB4310

工作温度：-55℃~+175℃

功率：230W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：160nC@10V

输入电容：8.05nF@25V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

反向传输电容：420pF@25V

导通电阻：8mΩ@10V，55A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：146nC@10V

输入电容：3.247nF@25V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：8mΩ@10V，62A

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK9Y8R8-60ELX

工作温度：-55℃~+175℃

功率：194W

阈值电压：2.1V@1mA

栅极电荷：123nC@10V

输入电容：6.695nF@25V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.6mΩ@25A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：2350

包装规格(MPQ)：800psc

规格型号(MPN)：SUM110P06-07L-E3

包装方式：卷带（TR）

输入电容：11.4nF@25V

栅极电荷：345nC@10V

漏源电压：60V

阈值电压：3V@250μA

连续漏极电流：110A

功率：3.75W€375W

导通电阻：6.9mΩ@30A，10V

工作温度：-55℃~+175℃

ECCN：EAR99

类型：1个P沟道

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200W

连续漏极电流：110A

阈值电压：4V@250μA

导通电阻：8mΩ@10V，62A

漏源电压：55V

类型：1个N沟道

工作温度：-55℃~+175℃

栅极电荷：146nC@10V

输入电容：3.247nF@25V

包装清单：商品主体 * 1