品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M20-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79.4W
阈值电压:2.1V
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:13mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M20-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79.4W
阈值电压:2.1V
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:13mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2080KEHRC11
工作温度:-55℃~+175℃
功率:262W
阈值电压:1.6V
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2080KEHRC11
工作温度:-55℃~+175℃
功率:262W
阈值电压:1.6V
栅极电荷:106nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M20-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79.4W
阈值电压:2.1V
栅极电荷:40nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:13mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTL35N65G2V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:417W
阈值电压:5V
栅极电荷:73nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:67mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2080KEHRC11
工作温度:-55℃~+175℃
功率:262W
阈值电压:1.6V
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@24A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTL35N65G2V
工作温度:-55℃~+175℃
功率:417W
阈值电压:5V
栅极电荷:73nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:67mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2080KEHRC11
工作温度:-55℃~+175℃
功率:262W
阈值电压:1.6V
栅极电荷:106nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2080KEHRC11
功率:262W
阈值电压:1.6V
包装方式:Tube
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:1.2kV
栅极电荷:106nC
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:54W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:89nC@10V
输入电容:1.9nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:270pF@25V
导通电阻:16mΩ@10V,22A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2080KEHRC11
工作温度:-55℃~+175℃
功率:262W
阈值电压:1.6V
栅极电荷:106nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:40A
类型:MOSFET
导通电阻:80mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40P10-40L_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:134nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.295nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个P沟道
导通电阻:40mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.6nF@15V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:54W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:89nC@10V
输入电容:1.9nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:270pF@25V
导通电阻:16mΩ@10V,22A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N08-16-E3
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:16mΩ@40A,10V
类型:1个N沟道
功率:3W€136W
漏源电压:80V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:40A
输入电容:1.96nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: