采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：92W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：1.77nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，22A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：92W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：1.77nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，22A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：37W
阈值电压：2V
栅极电荷：9.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：36A
类型：MOSFET
导通电阻：15mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：92W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：1.77nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，22A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：37W
阈值电压：2V
栅极电荷：9.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：36A
类型：MOSFET
导通电阻：15mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：37W
阈值电压：2V
栅极电荷：9.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：36A
类型：MOSFET
导通电阻：15mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA36P15
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.32nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2900}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：37W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：36A
类型：MOSFET
导通电阻：15mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：37W
阈值电压：2V
栅极电荷：9.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：36A
类型：MOSFET
导通电阻：15mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA36P15
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.32nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG
包装方式：Reel
导通电阻：15mΩ
功率：37W
阈值电压：2V
漏源电压：60V
连续漏极电流：36A
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：9.7nC
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG
包装方式：Reel
导通电阻：15mΩ
功率：37W
阈值电压：2V
漏源电压：60V
连续漏极电流：36A
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：9.7nC
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，22A
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：63nC@10V
功率：92W
输入电容：1.77nF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ980EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.995nF@40V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.5mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：37W
阈值电压：2V
栅极电荷：9.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：36A
类型：MOSFET
导通电阻：15mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2900}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：37W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：36A
类型：MOSFET
导通电阻：15mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540ZPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：92W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.77nF@25V
连续漏极电流：36A
类型：1个N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10V，22A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：590pF@25V
漏源电压：40V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：36A
功率：28W
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
反向传输电容：8pF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
阈值电压：2.2V@20μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ980EL-T1_GE3
输入电容：1.995nF@40V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：80V
栅极电荷：36nC@10V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：36A
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：13.5mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
