销售单位：个

规格型号(MPN)：MPG200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

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包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

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包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MD200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

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连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

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漏源电压：80V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1800psc

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

栅极电荷：110nC

功率：200W

阈值电压：2.2V

工作温度：-55℃~+175℃

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD200N08

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

反向传输电容：810pF@25V

功率：270W

工作温度：-55℃~+175℃

输入电容：13.2nF@25V

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包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPG200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPG200N08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：270W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：257nC@10V

输入电容：13.2nF@25V

连续漏极电流：200A

类型：1个N沟道

反向传输电容：810pF@25V

导通电阻：3.5mΩ@10V，50A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1