品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
栅极电荷:70nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
包装方式:Reel
功率:329W
栅极电荷:70nC
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4.4V
漏源电压:1.2kV
导通电阻:52mΩ
ECCN:EAR99
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
包装方式:Reel
功率:329W
栅极电荷:70nC
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:4.4V
漏源电压:1.2kV
导通电阻:52mΩ
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:2.2V@30μA
栅极电荷:7nC@4.5V
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:1个N沟道
反向传输电容:16pF@25V
导通电阻:6.1mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
栅极电荷:70nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2337
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB52N15DPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€230W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2.77nF@25V
连续漏极电流:51A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10V,36A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120M3S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:329W
阈值电压:4.4V
栅极电荷:70nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:51A
类型:MOSFET
导通电阻:52mΩ
漏源电压:1.2kV
包装清单:商品主体 * 1
库存: