销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：3.8V@250μA

栅极电荷：211nC@10V

输入电容：16nF@50V

连续漏极电流：300A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@150A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN1R0-30YLDX

工作温度：-55℃~175℃

功率：238W

阈值电压：2.2V@2mA

栅极电荷：121.35nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：8598pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.02mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：3.8V@250μA

栅极电荷：211nC@10V

输入电容：16nF@50V

连续漏极电流：300A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@150A，10V

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N014ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：187nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

导通电阻：2.1mΩ

漏源电压：80V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT020N10N3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

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栅极电荷：156nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：520，"23+"：1257，"24+"：324}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N014ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：187nC

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类型：MOSFET

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工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

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销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：3.8V@250μA

栅极电荷：211nC@10V

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连续漏极电流：300A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.5mΩ@150A，10V

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规格型号(MPN)：PSMN1R0-30YLDX

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功率：238W

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输入电容：8598pF@15V

连续漏极电流：100A

类型：N沟道

导通电阻：1.02mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

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规格型号(MPN)：IPT020N10N3

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功率：375W

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连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

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连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

导通电阻：2.1mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N014ATMA1

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功率：300W

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连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

导通电阻：2.1mΩ

漏源电压：80V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT020N10N3

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功率：375W

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连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

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销售单位：个

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工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

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类型：1个N沟道

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包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N014ATMA1

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功率：300W

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栅极电荷：187nC

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连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N014ATMA1

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功率：300W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：187nC

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连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

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销售单位：个

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规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N014ATMA1

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连续漏极电流：300A

漏源电压：80V

栅极电荷：187nC

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功率：300W

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ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1800psc

生产批次：{"20+"：520，"23+"：1257，"24+"：324}

规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N014ATMA1

包装方式：Reel

连续漏极电流：300A

漏源电压：80V

栅极电荷：187nC

阈值电压：2.2V

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

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ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT8113T

工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

阈值电压：4V@250μA

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连续漏极电流：300A

类型：1个N沟道

反向传输电容：3.2nF@20V

导通电阻：1.1mΩ@10V，50A

漏源电压：85V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N014ATMA1

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功率：300W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：187nC

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连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

导通电阻：2.1mΩ

漏源电压：80V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT020N10N3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

栅极电荷：156nC

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连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT8113T

工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：240nC@10V

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连续漏极电流：300A

类型：1个N沟道

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N014ATMA1

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功率：300W

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连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

导通电阻：2.1mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT020N10N3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

栅极电荷：156nC

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连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT4383T

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功率：600W

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类型：1个N沟道

反向传输电容：1.5nF@20V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N014ATMA1

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功率：300W

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连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT8113T

工作温度：-55℃~+175℃

功率：600W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：240nC@10V

输入电容：14.4nF@20V

连续漏极电流：300A

类型：1个N沟道

反向传输电容：3.2nF@20V

导通电阻：1.1mΩ@10V，50A

漏源电压：85V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS300N08S5N014ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：300W

阈值电压：2.2V

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包装方式：Reel

连续漏极电流：300A

类型：MOSFET

导通电阻：2.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT6586T

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：151nC@10V

输入电容：7.302nF@30V

连续漏极电流：300A

类型：1个N沟道

反向传输电容：184pF@30V

导通电阻：0.85mΩ@10V，50A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MOT6586T

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：151nC@10V

输入电容：7.302nF@30V

连续漏极电流：300A

类型：1个N沟道

反向传输电容：184pF@30V

导通电阻：0.85mΩ@10V，50A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1