采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3493EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：600mV
栅极电荷：22.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：21mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3469EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：36mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3493EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：600mV
栅极电荷：22.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：21mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3493EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：600mV
栅极电荷：22.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：21mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3469EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：36mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3469EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@25μA
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.02nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：36mΩ@6.7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
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连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：8A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
漏源电压：20V
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
输入电容：2.694nF@10V
类型：1个P沟道
栅极电荷：36nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SQ3493EV-T1_GE3
包装方式：Reel
功率：5W
连续漏极电流：8A
阈值电压：600mV
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：22.7nC
漏源电压：20V
类型：MOSFET
导通电阻：21mΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5000，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
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导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
