销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：4V@15μA

栅极电荷：18nC@10V

输入电容：1.47nF@25V

连续漏极电流：20A

类型：2个N沟道

导通电阻：12.2mΩ@17A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N04S4-12

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：3V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：12.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N04S4-12

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：3V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：12.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：4V@15μA

栅极电荷：18nC@10V

输入电容：1.47nF@25V

连续漏极电流：20A

类型：2个N沟道

导通电阻：12.2mΩ@17A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N04S4-12

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：3V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：12.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N04S4-12

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：3V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：12.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N04S4-12

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：3V

栅极电荷：18nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：12.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：IPG20N04S4-12

阈值电压：3V

连续漏极电流：20A

包装方式：Reel

漏源电压：40V

栅极电荷：18nC

功率：41W

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：12.2mΩ

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：IPG20N04S4-12

阈值电压：3V

连续漏极电流：20A

包装方式：Reel

漏源电压：40V

栅极电荷：18nC

功率：41W

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：12.2mΩ

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

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连续漏极电流：20A

阈值电压：4V@15μA

栅极电荷：18nC@10V

输入电容：1.47nF@25V

功率：41W

漏源电压：40V

工作温度：-55℃~+175℃

类型：2个N沟道

导通电阻：12.2mΩ@17A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

连续漏极电流：20A

阈值电压：4V@15μA

栅极电荷：18nC@10V

输入电容：1.47nF@25V

功率：41W

漏源电压：40V

工作温度：-55℃~+175℃

类型：2个N沟道

导通电阻：12.2mΩ@17A，10V

包装清单：商品主体 * 1