品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W€3.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
输入电容:10.23nF@40V
连续漏极电流:299A€29A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.55mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
输入电容:6.49nF@50V
漏源电压:100V
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):480psc
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
输入电容:5.858nF@100V
类型:1个N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:47A
导通电阻:73mΩ@22A,10V
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:266nC@10V
功率:500W
ECCN:EAR99
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.725nF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.725nF@25V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@10V,5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):480psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQW44N65EF-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:266nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5.858nF@100V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:73mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@10V,8.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:140nC@10V
输入电容:5nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:58mΩ@20A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@10V,8.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.1W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:1.59nF@75V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W€3.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: