品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107.1W€3.8W
阈值电压:3V@210μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:4.301nF@25V
连续漏极电流:185A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M6R7-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1.161nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF@25V
导通电阻:5.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM40014M-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:275nC@10V
输入电容:15.78nF@20V
连续漏极电流:200A
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":981,"9999":637}
销售单位:个
规格型号(MPN):IST007N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W€3.8W
阈值电压:3.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.9nF@20V
连续漏极电流:54A€440A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4470
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.659nF@20V
连续漏极电流:12.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,12.5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:3.5V@180μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.855nF@25V
连续漏极电流:252A€43A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:238W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.752nF@20V
连续漏极电流:240A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C
工作温度:-55℃~+175℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:6.1nF@25V
连续漏极电流:48.9A€313A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.87mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:238W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.752nF@20V
连续漏极电流:240A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€64.9W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.258nF@25V
连续漏极电流:9.6A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127
工作温度:-55℃~+175℃
功率:306W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:15.1nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFW-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:990mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14.2nC@10V
输入电容:1.03nF@20V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.338nF@25V
连续漏极电流:95A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.9W€134W
阈值电压:3.5V@180μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.855nF@25V
连续漏极电流:252A€43A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.15mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.338nF@25V
连续漏极电流:95A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.82W€36.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:14.6A€52.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST007N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W€3.8W
阈值电压:3.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.9nF@20V
连续漏极电流:54A€440A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:394W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:5.75nF@25V
连续漏极电流:372A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:238W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.752nF@20V
连续漏极电流:240A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS007N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W€3.1W
阈值电压:3.5V@30μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:674pF@25V
连续漏极电流:49A€14A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.338nF@25V
连续漏极电流:95A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:394W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:102nC@10V
输入电容:5.75nF@25V
连续漏极电流:372A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: