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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107.1W€3.8W

    阈值电压:3V@210μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:4.301nF@25V

    连续漏极电流:185A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M6R7-40HX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M6R7-40HX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M6R7-40HX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:1.161nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:55pF@25V

    导通电阻:5.7mΩ@10V,20A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40014M-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:275nC@10V

    输入电容:15.78nF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST007N04NM6AUMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST007N04NM6AUMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":981,"9999":637}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST007N04NM6AUMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W€3.8W

    阈值电压:3.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.9nF@20V

    连续漏极电流:54A€440A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:700mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4470 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4470 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4470

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.659nF@20V

    连续漏极电流:12.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,12.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D3N04CTWG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D3N04CTWG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:3.5V@180μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.855nF@25V

    连续漏极电流:252A€43A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-40YSDX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-40YSDX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R5-40YSDX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:238W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.752nF@20V

    连续漏极电流:240A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC0D9N04C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC0D9N04C

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:6.1nF@25V

    连续漏极电流:48.9A€313A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:0.87mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-40YSDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-40YSDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R5-40YSDX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:238W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.752nF@20V

    连续漏极电流:240A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD50N04-AU_L2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD50N04-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€64.9W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.258nF@25V

    连续漏极电流:9.6A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订1000个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK6E2R3-40C,127 起订1000个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6E2R3-40C,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    输入电容:15.1nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LFDFW-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:990mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:14.2nC@10V

    输入电容:1.03nF@20V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.338nF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40YSDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40YSDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:147W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    输入电容:4.507nF@20V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D3N04CTWG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D3N04CTWG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D3N04CTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.9W€134W

    阈值电压:3.5V@180μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.855nF@25V

    连续漏极电流:252A€43A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.338nF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST007N04NM6AUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST007N04NM6AUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST007N04NM6AUMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W€3.8W

    阈值电压:3.3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.9nF@20V

    连续漏极电流:54A€440A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:700mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-40YSDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-40YSDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R5-40YSDX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:238W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7.752nF@20V

    连续漏极电流:240A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40YSDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40YSDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:147W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    输入电容:4.507nF@20V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS007N04CTWG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS007N04CTWG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTYS007N04CTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W€3.1W

    阈值电压:3.5V@30μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:674pF@25V

    连续漏极电流:49A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R3-40MSHX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R3-40MSHX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.338nF@25V

    连续漏极电流:95A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ148ER-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ148ER-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:394W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:102nC@10V

    输入电容:5.75nF@25V

    连续漏极电流:372A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40YSDX 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40YSDX 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":9000,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:147W

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    输入电容:4.507nF@20V

    连续漏极电流:160A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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