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    类型: 2个N沟道
    漏源电压: 40V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:30+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3

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    功率:48W

    阈值电压:3.3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.35nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3

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    功率:34W

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    类型:2个N沟道

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    漏源电压:40V

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K13-40HX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K13-40HX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K13-40HX

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    连续漏极电流:42A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K25-40RAX

    工作温度:-55℃~+175℃

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    输入电容:701pF@25V

    连续漏极电流:18.2A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K25-40RAX

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    类型:2个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

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    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.35nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13

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    功率:2.41W€42.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    输入电容:733pF@20V

    连续漏极电流:43.6A€10.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3

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    类型:2个N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订30个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3

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    类型:2个N沟道

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    漏源电压:40V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订500个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13

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    类型:2个N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.35nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.41W€42.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    输入电容:733pF@20V

    连续漏极电流:43.6A€10.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K13-40HX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K13-40HX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K13-40HX

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    连续漏极电流:42A

    类型:2个N沟道

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    漏源电压:40V

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K13-40HX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K13-40HX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K13-40HX

    工作温度:-55℃~+175℃

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    输入电容:1.16nF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K13-40HX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K13-40HX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K13-40HX

    工作温度:-55℃~+175℃

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    输入电容:1.16nF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K25-40RAX

    工作温度:-55℃~+175℃

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:6.3nC@5V

    输入电容:701pF@25V

    连续漏极电流:18.2A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.1nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.41W€42.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    输入电容:733pF@20V

    连续漏极电流:43.6A€10.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.1nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB46ELP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB46ELP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.1nF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:8mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.41W€42.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    输入电容:733pF@20V

    连续漏极电流:43.6A€10.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB48EP-T1_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB48EP-T1_GE3

    阈值电压:3.3V@250μA

    输入电容:2.35nF@25V

    漏源电压:40V

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    导通电阻:5.2mΩ@8A,10V

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K25-40RAX

    工作温度:-55℃~+175℃

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:6.3nC@5V

    输入电容:701pF@25V

    连续漏极电流:18.2A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K13-40HX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K13-40HX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K13-40HX

    工作温度:-55℃~+175℃

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    输入电容:1.16nF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K25-40RAX

    工作温度:-55℃~+175℃

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:6.3nC@5V

    输入电容:701pF@25V

    连续漏极电流:18.2A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.2V@30μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:13pF@25V

    导通电阻:6.2mΩ@10V,10A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订30个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K25-40RAX 起订30个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K25-40RAX

    工作温度:-55℃~+175℃

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:6.3nC@5V

    输入电容:701pF@25V

    连续漏极电流:18.2A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:24mΩ@10V,5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C470NLT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C470NLT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:28W

    阈值电压:2.2V@20μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:8pF@25V

    导通电阻:9.2mΩ@10V,5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C470NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C470NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:28W

    阈值电压:2.2V@20μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:8pF@25V

    导通电阻:9.2mΩ@10V,5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C470NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C470NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:28W

    阈值电压:2.2V@20μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:2个N沟道

    反向传输电容:8pF@25V

    导通电阻:9.2mΩ@10V,5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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