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    品牌: VISHAY
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    类型: 1个P沟道
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

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    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

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    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

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    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

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    类型:1个P沟道

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    漏源电压:60V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

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    功率:13.6W

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    类型:1个P沟道

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    漏源电压:60V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

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    类型:1个P沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

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    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

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    输入电容:590pF@25V

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    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

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    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.5V@250μA

    输入电容:4.586nF@30V

    栅极电荷:108nC@10V

    工作温度:-55℃~+175℃

    连续漏极电流:52A

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361ES-T1_GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:550pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:177mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.586nF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.586nF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订21000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订21000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P06-15L_GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P06-15L_GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:155nC@10V

    输入电容:6.12nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA411CEJW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA411CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@25V

    连续漏极电流:6.46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:155mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ461EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ461EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ461EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4.71nF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:16mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2361AEES-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@30V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:170mΩ@10V,2.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRF9Z24PBF

    连续漏极电流:11A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:19nC@10V

    功率:60W

    阈值电压:4V@250μA

    包装方式:管件

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    工作温度:-55℃~+175℃

    输入电容:570pF@25V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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