品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.14nF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.14nF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@5V
输入电容:1.233nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:2个P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9948
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:394pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:250mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9948
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:394pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:250mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9948
工作温度:-55℃~+175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:394pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:250mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: