包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：4V

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

类型：MOSFET

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：138A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：138A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：138A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：4V

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

类型：MOSFET

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：4V

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

类型：MOSFET

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：4V

栅极电荷：36nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

类型：MOSFET

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：138A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ459EP-T1_GE3

功率：83W

包装方式：卷带（TR）

漏源电压：60V

阈值电压：2.5V@250μA

输入电容：4.586nF@30V

栅极电荷：108nC@10V

工作温度：-55℃~+175℃

连续漏极电流：52A

ECCN：EAR99

类型：1个P沟道

导通电阻：18mΩ@3.5A，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

功率：83W

阈值电压：3.5V

包装方式：Reel

栅极电荷：32nC

漏源电压：40V

导通电阻：2.3mΩ

工作温度：-55℃~+175℃

连续漏极电流：138A

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

功率：83W

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

栅极电荷：36nC

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ459EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.586nF@30V

连续漏极电流：52A

类型：1个P沟道

导通电阻：18mΩ@3.5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ459EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.586nF@30V

连续漏极电流：52A

类型：1个P沟道

导通电阻：18mΩ@3.5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：IPD19DP10NMATMA1

功率：83W

阈值电压：4V

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.7A

栅极电荷：36nC

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：186mΩ

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2500，"23+"：1977}

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V@250μA

栅极电荷：160nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.355nF@25V

连续漏极电流：12A

类型：1个P沟道

导通电阻：213mΩ@1A，4V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2550}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF40B207

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：3.9V@50μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：68nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.11nF@25V

连续漏极电流：95A

类型：1个N沟道

导通电阻：4.5mΩ@57A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2500}

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD18DP10LMATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：42nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：13.9A

类型：MOSFET

导通电阻：178mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：387}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS2D4N04CTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：138A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1