品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT18N10D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:90mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT15N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:80mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:80mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:80mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT15N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:80mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:4V@20μA
栅极电荷:5.8nC@10V
输入电容:355pF@30V
连续漏极电流:27A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@30V
导通电阻:16.9mΩ@10V,4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M52-40EX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:407pF@25V
连续漏极电流:17.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG15N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:80mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:80mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG15N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:80mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:80mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M52-40EX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:407pF@25V
连续漏极电流:17.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG15N10P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:80mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530
类型:1个N沟道
输入电容:680pF@25V
阈值电压:1.8V@250μA
导通电阻:80mΩ@10V,5A
反向传输电容:85pF@25V
功率:31W
栅极电荷:16nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG15N10P
类型:1个N沟道
输入电容:680pF@25V
阈值电压:1.8V@250μA
导通电阻:80mΩ@10V,5A
反向传输电容:85pF@25V
功率:31W
栅极电荷:16nC@10V
工作温度:-55℃~+175℃
连续漏极电流:15A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M52-40EX
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
输入电容:407pF@25V
导通电阻:40mΩ@5A,10V
阈值电压:2.1V@1mA
连续漏极电流:17.6A
功率:31W
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:4.5nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
反向传输电容:4.9pF@30V
输入电容:355pF@30V
功率:31W
阈值电压:4V@20μA
栅极电荷:5.8nC@10V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:16.9mΩ@10V,4A
连续漏极电流:27A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:4V@20μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
输入电容:355pF@30V
连续漏极电流:27A
类型:1个N沟道
反向传输电容:4.9pF@30V
导通电阻:16.9mΩ@10V,4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: