品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-30YLEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:265A
类型:MOSFET
导通电阻:1.3mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-30YLEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:265A
类型:MOSFET
导通电阻:1.3mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS141ELNW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:141nC@10V
输入电容:7.458nF@25V
连续漏极电流:101A
类型:1个P沟道
导通电阻:10mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: