采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M4R3-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：95A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC090SMA070B
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：1.9V
栅极电荷：38nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：28A
类型：MOSFET
导通电阻：111mΩ
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M4R3-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：95A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M4R3-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：95A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MSHX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.338nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC090SMA070B
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：1.9V
栅极电荷：38nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：28A
类型：MOSFET
导通电阻：111mΩ
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M4R3-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：95A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC090SMA070B
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：1.9V
栅极电荷：38nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：28A
类型：MOSFET
导通电阻：111mΩ
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC090SMA070B
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：1.9V
栅极电荷：38nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：28A
类型：MOSFET
导通电阻：111mΩ
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
