销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS165N08S5N029ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：165A

类型：MOSFET

导通电阻：4.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB160N04S4-H1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2V

栅极电荷：137nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：160A

类型：MOSFET

导通电阻：1.4mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS165N08S5N029ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：165A

类型：MOSFET

导通电阻：4.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS165N08S5N029ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：165A

类型：MOSFET

导通电阻：4.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS165N08S5N029ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：165A

类型：MOSFET

导通电阻：4.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB034N06L3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：79nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：2.7mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS165N08S5N029ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：165A

类型：MOSFET

导通电阻：4.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：180，"20+"：1630，"23+"：1750，"MI+"：1300}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS165N08S5N029ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：165A

类型：MOSFET

导通电阻：4.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：180，"20+"：1630，"23+"：1750，"MI+"：1300}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS165N08S5N029ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：165A

类型：MOSFET

导通电阻：4.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS165N08S5N029ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：165A

类型：MOSFET

导通电阻：4.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS165N08S5N029ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：90nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：165A

类型：MOSFET

导通电阻：4.4mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

阈值电压：2.2V@93μA

包装方式：卷带（TR）

功率：167W

类型：1个N沟道

输入电容：13nF@30V

漏源电压：60V

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

连续漏极电流：100A

工作温度：-55℃~+175℃

栅极电荷：79nC@4.5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1800psc

规格型号(MPN)：IAUS165N08S5N029ATMA1

包装方式：Reel

功率：167W

导通电阻：4.4mΩ

栅极电荷：90nC

漏源电压：80V

连续漏极电流：165A

阈值电压：2.2V

工作温度：-55℃~+175℃

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMTH6002LPS-13

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：130.8nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：6.555nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：2mΩ@10V，50A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：4V@1mA

栅极电荷：49.4nC@10V

输入电容：3.583nF@25V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10V，25A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD031N06L3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2.2V@93μA

栅极电荷：79nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：13nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.1mΩ@100A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：2V@250μA

栅极电荷：66nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：8.862nF@25V

连续漏极电流：330A

类型：1个N沟道

反向传输电容：116pF@25V

导通电阻：0.65mΩ@10V，50A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2401

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK7Y3R5-40E，115

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：49.4nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.583nF@25V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10V，25A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2401

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK7Y3R5-40E，115

工作温度：-55℃~+175℃

功率：167W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：49.4nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.583nF@25V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.5mΩ@10V，25A

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1