销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：150nC@10V

输入电容：9.13nF@40V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：6.5mΩ@10V，55A

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRL1004PBF

工作温度：-55℃~175℃

功率：200W

阈值电压：1V@250µA

栅极电荷：100nC@4.5V

包装方式：管件

输入电容：5330pF@25V

连续漏极电流：130A

类型：N沟道

导通电阻：6.5mΩ@78A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STP110N8F6

工作温度：-55℃~175℃

功率：200W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：150nC@10V

包装方式：管件

输入电容：9130pF@40V

连续漏极电流：110A

类型：N沟道

导通电阻：6.5mΩ@55A，10V

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF5210PBF

工作温度：-55℃~175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：180nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2700pF@25V

连续漏极电流：40A

类型：P沟道

导通电阻：60mΩ@24A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：190nC@10V

输入电容：3nF@25V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：25mΩ@10V，28A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：1800psc

生产批次：{"20+"：3570，"23+"：482}

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

栅极电荷：110nC

功率：200W

阈值电压：2.2V

工作温度：-55℃~+175℃

ECCN：EAR99

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

输入电容：3nF@25V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

工作温度：-55℃~+175℃

栅极电荷：190nC@10V

导通电阻：25mΩ@10V，28A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：130nC@10V

输入电容：3.13nF@25V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：23mΩ@10V，28A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：190nC@10V

输入电容：3nF@25V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：25mΩ@10V，28A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：190nC@10V

输入电容：3nF@25V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：25mΩ@10V，28A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：130nC@10V

输入电容：3.13nF@25V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：23mΩ@10V，28A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2220

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF1010EPBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：130nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3.21nF@25V

连续漏极电流：84A

类型：1个N沟道

导通电阻：12mΩ@10V，50A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF1010EPBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：130nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3.21nF@25V

连续漏极电流：84A

类型：1个N沟道

导通电阻：12mΩ@10V，50A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：130nC@10V

输入电容：3.13nF@25V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：23mΩ@10V，28A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：130nC@10V

输入电容：3.13nF@25V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：23mΩ@10V，28A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：130nC@10V

输入电容：3.13nF@25V

连续漏极电流：57A

类型：1个N沟道

导通电阻：23mΩ@10V，28A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：146nC@10V

输入电容：3.247nF@25V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：8mΩ@10V，62A

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2220

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF1010EPBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：130nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3.21nF@25V

连续漏极电流：84A

类型：1个N沟道

导通电阻：12mΩ@10V，50A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2220

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF1010EPBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：130nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3.21nF@25V

连续漏极电流：84A

类型：1个N沟道

导通电阻：12mΩ@10V，50A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2220

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF1010EPBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：130nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3.21nF@25V

连续漏极电流：84A

类型：1个N沟道

导通电阻：12mΩ@10V，50A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRF1010EPBF

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：4V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：130nC@10V

包装方式：管件

输入电容：3.21nF@25V

连续漏极电流：84A

类型：1个N沟道

导通电阻：12mΩ@10V，50A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUS200N08S5N023ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：200W

阈值电压：2.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：110nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200A

类型：MOSFET

导通电阻：3.7mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1