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包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：77nC@10V

包装方式：散装

输入电容：4.57nF@25V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@17A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DI100N10PQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.4nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：5mΩ@30A，10V

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DI100N10PQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

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连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：5mΩ@30A，10V

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DI100N10PQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

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类型：1个N沟道

导通电阻：5mΩ@30A，10V

漏源电压：100V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DI100N10PQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

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连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：5mΩ@30A，10V

漏源电压：100V

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包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB011N04N G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V

栅极电荷：250nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：180A

类型：MOSFET

导通电阻：1.1mΩ

漏源电压：40V

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包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SCTH40N120G2V-7

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

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栅极电荷：63nC

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类型：MOSFET

导通电阻：75mΩ

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包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTG054N15NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：143A

类型：MOSFET

导通电阻：5.4mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPI024N06N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

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栅极电荷：206nC@10V

输入电容：17nF@30V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

反向传输电容：120pF@30V

导通电阻：1.8mΩ@10V，100A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTG054N15NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC

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连续漏极电流：143A

类型：MOSFET

导通电阻：5.4mΩ

漏源电压：150V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

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功率：250W

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPI024N06N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

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漏源电压：60V

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生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@1mA

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栅极电荷：77nC@10V

包装方式：散装

输入电容：4.57nF@25V

连续漏极电流：35A

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导通电阻：70mΩ@17A，10V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP024N06N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@196μA

栅极电荷：275nC@10V

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连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.4mΩ@10V，100A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@1mA

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栅极电荷：77nC@10V

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输入电容：4.57nF@25V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@17A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DI100N10PQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.4nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：5mΩ@30A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DI100N10PQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3.4nF@30V

连续漏极电流：100A

类型：1个N沟道

导通电阻：5mΩ@30A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：77nC@10V

包装方式：散装

输入电容：4.57nF@25V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@17A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPI024N06N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V@196μA

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类型：1个N沟道

反向传输电容：120pF@30V

导通电阻：1.8mΩ@10V，100A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB011N04N G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V

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包装方式：Reel

连续漏极电流：180A

类型：MOSFET

导通电阻：1.1mΩ

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包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2504}

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTG054N15NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：143A

类型：MOSFET

导通电阻：5.4mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP013N04NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3.4V

栅极电荷：159nC

连续漏极电流：197A

类型：MOSFET

导通电阻：1.3mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MD50N20

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：244nC@10V

输入电容：3.538nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个N沟道

反向传输电容：280pF@25V

导通电阻：30mΩ@10V，25A

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTG054N15NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

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栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：143A

类型：MOSFET

导通电阻：5.4mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTG054N15NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：143A

类型：MOSFET

导通电阻：5.4mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTG054N15NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：143A

类型：MOSFET

导通电阻：5.4mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTG054N15NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：143A

类型：MOSFET

导通电阻：5.4mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTG054N15NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：58nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：143A

类型：MOSFET

导通电阻：5.4mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：268psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@1mA

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包装方式：散装

输入电容：4.57nF@25V

连续漏极电流：35A

类型：1个N沟道

导通电阻：70mΩ@17A，10V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPTG054N15NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V

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包装方式：Reel

连续漏极电流：143A

类型：MOSFET

导通电阻：5.4mΩ

漏源电压：150V

包装清单：商品主体 * 1