包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP114N12N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：3V

栅极电荷：49nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：75A

类型：MOSFET

导通电阻：11.4mΩ

漏源电压：120V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V@90μA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.35nF@100V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V@90μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.35nF@100V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBGS2D5N06C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V

栅极电荷：45.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：169A

类型：MOSFET

导通电阻：2.65mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBGS2D5N06C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V

栅极电荷：45.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：169A

类型：MOSFET

导通电阻：2.65mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V@90μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.35nF@100V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB026N06N

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2.1V

栅极电荷：66nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：2.3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V@90μA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.35nF@100V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V@90μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.35nF@100V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V@90μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.35nF@100V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V@90μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.35nF@100V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA120N04S5N014AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：3.4V@60μA

栅极电荷：82nC@10V

输入电容：4.828nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@60A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V@90μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.35nF@100V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTBGS2D5N06C

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V

栅极电荷：45.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：169A

类型：MOSFET

导通电阻：2.65mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：558}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB600N25N3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：51mΩ

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：5597，"22+"：22484，"23+"：22040}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA120N04S5N014AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：3.4V@60μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：82nC@10V

输入电容：4.828nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@60A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：5597，"22+"：22484，"23+"：22040}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA120N04S5N014AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：3.4V@60μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：82nC@10V

输入电容：4.828nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@60A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：5597，"22+"：22484，"23+"：22040}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA120N04S5N014AUMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：3.4V@60μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：82nC@10V

输入电容：4.828nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@60A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP320N20N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2V

栅极电荷：29nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：4V@90μA

栅极电荷：29nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2.35nF@100V

连续漏极电流：25A

类型：1个N沟道

导通电阻：60mΩ@25A，10V

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB600N25N3GATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2V

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：51mΩ

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB320N20N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：2V

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：34A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：IPP600N25N3GXKSA1

输入电容：2.35nF@100V

栅极电荷：29nC@10V

类型：1个N沟道

阈值电压：4V@90μA

漏源电压：250V

功率：136W

导通电阻：60mΩ@25A，10V

连续漏极电流：25A

包装方式：管件

工作温度：-55℃~+175℃

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N10S4L-06

工作温度：-55℃~+175℃

功率：136W

阈值电压：1.1V

栅极电荷：75nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：6.6mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IAUA120N04S5N014AUMA1

功率：136W

阈值电压：3.4V@60μA

输入电容：4.828nF@25V

类型：1个N沟道

导通电阻：1.4mΩ@60A，10V

漏源电压：40V

工作温度：-55℃~+175℃

栅极电荷：82nC@10V

连续漏极电流：120A

包装清单：商品主体 * 1