品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W€3.8W
阈值电压:2V@16μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:9.8A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2990,"22+":434}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W€3.8W
阈值电压:2V@16μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:9.8A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W€3.8W
阈值电压:2V@16μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:9.8A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W€3.8W
阈值电压:2V@16μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:9.8A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
导通电阻:21mΩ@10A,10V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
输入电容:410pF@25V
功率:28W€3.8W
栅极电荷:5nC@10V
连续漏极电流:9.8A€27A
漏源电压:60V
阈值电压:2V@16μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2990,"22+":434}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W€3.8W
阈值电压:2V@16μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:9.8A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS021N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W€3.8W
阈值电压:2V@16μA
栅极电荷:5nC@10V
输入电容:410pF@25V
连续漏极电流:9.8A€27A
类型:1个N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: