采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：621，"19+"：3，"21+"：2678，"23+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Central
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CP527-2N6299-CT5
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：8A
集电集截止电流(Icbo)：500μA
特征频率：4MHz
工作温度：-65℃~+150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@80mA，8A
包装方式：托盘
晶体管类型：PNP
直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@4A，3V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT457N
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
