销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20μA

特征频率：25MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20μA

特征频率：25MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4G

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，2A

特征频率：25MHz

晶体管类型：NPN

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@4A，40mA

包装方式：卷带（TR）

集电集截止电流(Icbo)：20μA

工作温度：-65℃~+150℃

集射极击穿电压(Vceo)：100V

功率：20W

ECCN：EAR99

集电极电流(Ic)：2A

包装清单：商品主体 * 1