采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5Ω@10V，500mA
类型：1个N沟道
输入电容：40pF@10V
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：345pF@25V
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
阈值电压：2V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：300mA
阈值电压：2.5V@250μA
功率：830mW
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
输入电容：50pF@10V
漏源电压：60V
工作温度：-65℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：345pF@25V
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
