销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@10A，100mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，5A

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2N6387G

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：10A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@10A，100mA

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3V，5A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3V，10A

功率：160W

集电集截止电流(Icbo)：1mA

集电极电流(Ic)：20A

工作温度：-65℃~+150℃

集射极击穿电压(Vceo)：100V

晶体管类型：PNP

特征频率：4MHz

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@20A，200mA

包装清单：商品主体 * 1