销售单位：个

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10μA

特征频率：4MHz

工作温度：-65℃~+150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD6039T4G

直流增益(hFE@Ic，Vce)：500@4V，2A

集电集截止电流(Icbo)：10μA

功率：1.75W

集电极电流(Ic)：4A

晶体管类型：NPN

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@2A，8mA

工作温度：-65℃~+150℃

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@8A，80mA

集电集截止电流(Icbo)：10μA

集电极电流(Ic)：8A

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4V，4A

工作温度：-65℃~+150℃

集射极击穿电压(Vceo)：100V

功率：20W

特征频率：4MHz

包装清单：商品主体 * 1