品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT2N300P3HV
工作温度:-55℃~155℃
功率:520W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:21Ω@1A,10V
漏源电压:3000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LCG-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:9.4A€34A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7832TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2.32V@250µA
栅极电荷:51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":551}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:19A€39A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87355Q5DT
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.8W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@15V
连续漏极电流:45A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:19A€39A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-TP
工作温度:-55℃~155℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7821TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@15V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W-TP
工作温度:-55℃~155℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87355Q5DT
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.8W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1860pF@15V
连续漏极电流:45A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:19A€39A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7832TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2.32V@250µA
栅极电荷:51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H015LCG-7
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:33.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@50V
连续漏极电流:9.4A€34A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7832TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2.32V@250µA
栅极电荷:51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6023LFGQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2569pF@30V
连续漏极电流:7.7A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7821TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@15V
连续漏极电流:13.6A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7832TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2.32V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7832TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2.32V@250µA
栅极电荷:51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7832TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2.32V@250µA
栅极电荷:51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":551}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:19A€39A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7832TRPBF
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2.32V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2022LSSQ-13
工作温度:-55℃~155℃
功率:1.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2575pF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17581Q5A
工作温度:-55℃~155℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:24A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":551}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSG0810NDIATMA1
工作温度:-55℃~155℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12V
连续漏极电流:19A€39A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: