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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.7V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
工作温度：175℃
功率：50W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7S10N1Z，LQ
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：7.1nC@10V
输入电容：470pF@10V
类型：N沟道
功率：50W
工作温度：175℃
阈值电压：4V@100µA
导通电阻：48mΩ@3.5A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.7V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.7V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.7V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK35A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.5V@2.1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK35A65W5，S5X
阈值电压：4.5V@2.1mA
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：50W
栅极电荷：115nC@10V
漏源电压：650V
包装方式：管件
连续漏极电流：35A
导通电阻：95mΩ@17.5A，10V
输入电容：4100pF@300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
