采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P60D(TE16L1，NQ)
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P60D(TE16L1，NQ)
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P60D(TE16L1，NQ)
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P60D(TE16L1，NQ)
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
输入电容：280pF@25V
栅极电荷：7nC@10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4K1A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@300V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4K1A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@300V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.1Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P60D(TE16L1，NQ)
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P60D(TE16L1，NQ)
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4.4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
