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    行业应用
    导通损耗
    1mJ
    品牌: 东芝(TOSHIBA)
    行业应用: 工业
    导通损耗: 1mJ
    当前匹配商品:4
    商品信息
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    操作
    TOSHIBA IGBT GT30J121(Q) 起订25个装
    TOSHIBA IGBT GT30J121(Q) 起订25个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT30J121(Q)

    包装方式:管件

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.45V@15V,30A

    关断延迟时间:300ns

    关断损耗:0.8mJ

    开启延迟时间:90ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    导通损耗:1mJ

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA IGBT GT30J121(Q) 起订3个装
    TOSHIBA IGBT GT30J121(Q) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT30J121(Q)

    包装方式:管件

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.45V@15V,30A

    关断延迟时间:300ns

    关断损耗:0.8mJ

    开启延迟时间:90ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    导通损耗:1mJ

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA IGBT GT30J121(Q) 起订10个装
    TOSHIBA IGBT GT30J121(Q) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT30J121(Q)

    包装方式:管件

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.45V@15V,30A

    关断延迟时间:300ns

    关断损耗:0.8mJ

    开启延迟时间:90ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    导通损耗:1mJ

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA IGBT GT30J121(Q) 起订1个装
    TOSHIBA IGBT GT30J121(Q) 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT30J121(Q)

    包装方式:管件

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.45V@15V,30A

    关断延迟时间:300ns

    关断损耗:0.8mJ

    开启延迟时间:90ns

    集电极截止电流(Ices):600V

    导通损耗:1mJ

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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