采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
工作温度：150℃
栅极电荷：33nC@4.5V
连续漏极电流：5.4A
功率：500mW
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
漏源电压：12V
ECCN：EAR99
输入电容：2700pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
阈值电压：3.7V@270µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
功率：60W
连续漏极电流：5.4A
栅极电荷：10.5nC@10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.7V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@300V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
阈值电压：3.7V@270µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
功率：60W
连续漏极电流：5.4A
栅极电荷：10.5nC@10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5P60W，RVQ
阈值电压：3.7V@270µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@300V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.7A，10V
功率：60W
连续漏极电流：5.4A
栅极电荷：10.5nC@10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J132TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
