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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J168F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K341R，LF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LF
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K361R，LF
工作温度：175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J771G，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：5A
功率：1.2W
栅极电荷：9.8nC@4.5V
输入电容：870pF@10V
类型：P沟道
阈值电压：1.2V@1mA
漏源电压：20V
导通电阻：31mΩ@3A，8.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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