品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@600µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.7Ω@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:840mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:830mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1150pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A65X5,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@300V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@11A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.11Ω@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:830mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:830mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK56A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4200pF@60V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@28A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A80W,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@850µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@300V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK31A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.7V@1.5mA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:30.8A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@15.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK31A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.7V@1.5mA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@300V
连续漏极电流:30.8A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@15.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.7V@1mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:155mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK090A65Z,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.27mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@300V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.11Ω@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK650A60F,S4X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1.16mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1320pF@300V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A50D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: