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    漏源电压
    连续漏极电流
    品牌: 东芝(TOSHIBA)
    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 25nC@10V
    当前匹配商品:20+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:3.7V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:3.7V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:3.7V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190U65Z,RQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190U65Z,RQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK190U65Z,RQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190U65Z,RQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190U65Z,RQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK190U65Z,RQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:3.7V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190U65Z,RQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190U65Z,RQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK190U65Z,RQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK35A08N1,S4X
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK35A08N1,S4X

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK35A08N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@40V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:3.7V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190U65Z,RQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190U65Z,RQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK190U65Z,RQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:3.7V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12E60W,S1VX
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12E60W,S1VX

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12E60W,S1VX

    工作温度:150℃

    功率:110W

    阈值电压:3.7V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190E65Z,S1X 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190E65Z,S1X 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK190E65Z,S1X

    功率:130W

    阈值电压:4V@610μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.37nF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK12P60W,RVQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:3.7V@600µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@300V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190U65Z,RQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK190U65Z,RQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK190U65Z,RQ

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@610µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10A60W5,S5VX
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10A60W5,S5VX

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:720pF@300V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:130W

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    阈值电压:4V@610µA

    栅极电荷:25nC@10V

    漏源电压:650V

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK210V65Z,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:130W

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@7.5A,10V

    阈值电压:4V@610µA

    栅极电荷:25nC@10V

    漏源电压:650V

    输入电容:1370pF@300V

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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