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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XK1R9F10QB，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：184nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11500pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.92mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：XK1R9F10QB，LXGQ
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功率：375W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：11500pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.92mΩ@80A，10V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
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输入电容：11500pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.92mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK160F10N1L，LXGQ
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栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
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栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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功率：375W
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栅极电荷：184nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11500pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.92mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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栅极电荷：184nC@10V
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连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.92mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：TK160F10N1L，LQ
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功率：375W
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栅极电荷：122nC@10V
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输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
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规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
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栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：87nC@10V
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输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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漏源电压：80V
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栅极电荷：122nC@10V
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输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
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栅极电荷：184nC@10V
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输入电容：11500pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.92mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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栅极电荷：184nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11500pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.92mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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功率：375W
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栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
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栅极电荷：184nC@10V
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输入电容：11500pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：1.92mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1L，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：3.5V@1mA
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栅极电荷：122nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
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功率：3W€210W
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栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R408QM，L1Q
工作温度：175℃
功率：3W€210W
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
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工作温度：175℃
功率：3W€210W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：8300pF@40V
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类型：N沟道
导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
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导通电阻：2.43mΩ@50A，10V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：160A
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导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
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