品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(STA4,Q,M)
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,3A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3569(STA4,X,M)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.5nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:180pF@25V
导通电阻:540mΩ@10V,5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(STA4,Q,M)
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,3A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E08N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(STA4,Q,M)
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,3A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E08N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q(M
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
反向传输电容:190pF@25V
导通电阻:1Ω@10V,4A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q(M
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E08N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK11A65D(STA4,X,M)
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@10V,5.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q(M
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3569(STA4,X,S)
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:750mΩ@10V,5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3569(STA4,X,S)
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:750mΩ@10V,5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(STA4,Q,M)
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,3A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q(M
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q(M
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3565(STA4,Q,M)
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.5Ω@10V,3A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q(M
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E08N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E08N1,S1X(S
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10V,50A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3878(STA1,E,S)
栅极电荷:60nC@10V
反向传输电容:190pF@25V
漏源电压:900V
类型:1个N沟道
功率:150W
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.2nF@25V
连续漏极电流:9A
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:1Ω@10V,4A
包装清单:商品主体 * 1
库存: