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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@40V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@17A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
